超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人日峯国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-183828
公開番号（公開出願番号）：特開2016-164965
出願日： 2015年09月17日
公開日（公表日）： 2016年09月08日
要約：

【課題】配線溝内の銅配線に不純物が入らないようにして結晶性を向上させることにより、超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】本発明は、半導体集積回路装置において電気メッキ及び熱処理によって銅配線における銅結晶粒を成長させるにあたり、銅との親和性が高く、かつ、塩素酸化物との親和性も高い元素を、銅の結晶粒界の移動をピン止め効果によって阻害する不純物として特定する。なお、前記銅との親和性を、銅と不純物とが結合している状態と結合しないで独立でいる状態との差を示す凝集エネルギーを算出することにより判断し、前記塩素酸化物との親和性を、塩素酸化物と不純物とが結合している状態と結合しないで独立でいる状態との差を示す凝集エネルギーを算出することにより判断する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

半導体集積回路装置において電気メッキ及び熱処理によって銅配線における銅結晶粒を成長させるにあたり、銅との親和性が高く、かつ、塩素酸化物との親和性も高い元素を、銅の結晶粒界の移動をピン止め効果によって阻害する不純物として特定する、ことを特徴とする方法。

IPC (6件)：

H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/532 , H01L 21/288 , C25D 3/38 , C25D 7/12

FI (5件)：

H01L21/88 M , H01L21/288 E , H01L21/288 M , C25D3/38 101 , C25D7/12

Fターム (40件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023DA11 , 4K023EA01 , 4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BA09 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CA06 , 4K024CA07 , 4K024CB06 , 4K024DA10 , 4K024GA16 , 4M104BB04 , 4M104BB37 , 4M104BB39 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104HH01 , 4M104HH16 , 5F033GG03 , 5F033HH11 , 5F033LL01 , 5F033LL06 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033WW04 , 5F033XX05 , 5F033XX10 , 5F033XX28

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体集積回路装置及びその製造方法、並びに該半導体集積回路装置に使用する低抵抗率銅配線の探索方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-101708 出願人：国立大学法人茨城大学
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-139499 出願人：富士通株式会社
配線用シード膜および半導体装置の配線方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-317861 出願人：ソニー株式会社

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