特許
J-GLOBAL ID：201603020601709343
基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
藤枡 裕実
, 深町 圭子
, 伊藤 英生
, 後藤 直樹
, 伊藤 裕介
, 立石 英之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-081480
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211450
特許番号：特許第5935453号
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】表面を研磨した基板材を準備する工程と、
前記基板材の研磨した表面に残る凹凸の上に樹脂を配設する工程と、
前記基板材上の前記樹脂に、表面に平坦面を有するマスタープレートの前記平坦面を密着させて、前記樹脂を、前記基板材の表面と前記マスタープレートの平坦面との間で、前記基板材表面の前記凹凸を埋める層状の形態にする工程と、
前記密着工程により、前記層状の形態にされた樹脂を硬化させる工程と、
前記基板材上の硬化した前記層状の形態の樹脂から前記マスタープレートを離型する工程と、
前記基板材の表面を前記層状の形態の樹脂の上からドライエッチングすることにより、前記層状の形態の樹脂を消失させつつ、部分的に露出する前記基板材の表面の凸部をエッチングして、前記基板材の表面を平坦化する工程と、
を順に備え、
前記ドライエッチングにおける前記樹脂のエッチング速度に対する前記基板材のエッチング速度の比が、0より大きな値であって、1以下の値であることを特徴とする基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, B81C 99/00 ( 201 0.01)
H01L 21/30 502 D
, B81C 99/00
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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