特許
J-GLOBAL ID：201603020642513127

半導体ウェハをプラズマ・ダイシングするための方法及び装置

発明者：
ゴールディン、リッチ

ゴールディン、リッチ について

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ジョンソン、クリス

ジョンソン、クリス について

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ジョンソン、デイヴィッド

ジョンソン、デイヴィッド について

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マルティネス リンネル

マルティネス リンネル について

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ペイ - ヴォラール、デイヴィッド

ペイ - ヴォラール、デイヴィッド について

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ウェスターマン、ラッセル

ウェスターマン、ラッセル について

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グリブナ、ゴードン、エム.

グリブナ、ゴードン、エム. について


出願人/特許権者：
プラズマ - サーム、エルエルシー

プラズマ - サーム、エルエルシー について


代理人 (1件)： 特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-558109
公開番号（公開出願番号）：特表2016-510168
出願日： 2014年02月12日
公開日（公表日）： 2016年04月04日
要約：
本発明は、基板をプラズマ・ダイシングするための方法を提供し、方法は、壁を有する処理チャンバを提供するステップと、処理チャンバの壁に隣接してプラズマ源を提供するステップと、処理チャンバ内に加工物支持体を提供するステップと、支持膜、フレーム、及び基板を有する加工物を加工物支持体上に置くステップと、加工物を加工物支持体上に搭載するステップと、張力を支持膜に加えるステップと、加工物を加工物支持体に対して圧締めするステップと、プラズマ源を使用してプラズマを発生させるステップと、発生したプラズマを使用して加工物をエッチングするステップとを含む。
請求項（抜粋）：
壁を有する処理チャンバを提供するステップと、 前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を提供するステップと、 前記処理チャンバ内に加工物支持体を提供するステップと、 支持膜、フレーム、及び基板を有する加工物を前記加工物支持体上に置くステップと、 前記加工物を前記加工物支持体上に搭載するステップと、 張力を前記支持膜に加えるステップと、 前記加工物を前記加工物支持体に対して圧締めするステップと、 前記プラズマ源を使用してプラズマを発生させるステップと、 発生した前記プラズマを使用して前記加工物をエッチングするステップと を含む、基板をプラズマ・ダイシングするための方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/301 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  H01L21/78 S ,  H05H1/46 L
Fターム (41件)：
2G084AA02 ,  2G084BB02 ,  2G084BB11 ,  2G084CC13 ,  2G084CC33 ,  2G084DD03 ,  2G084DD13 ,  2G084DD38 ,  2G084FF04 ,  2G084FF31 ,  2G084FF38 ,  2G084FF39 ,  2G084FF40 ,  5F004AA09 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004DB20 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB04 ,  5F063AA43 ,  5F063BA43 ,  5F063DD37 ,  5F063DD42 ,  5F063DD46 ,  5F063DD51 ,  5F063DD59 ,  5F063DF02 ,  5F063DF06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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