特許
J-GLOBAL ID：200903057493240380

薄い基板支持体

発明者：
ミシエル・ピユーシユ

ミシエル・ピユーシユ について

, 
グザビエ・ギシユナル

グザビエ・ギシユナル について


出願人/特許権者：
アルカテル

アルカテル について


代理人 (5件)： 川口 義雄 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  大崎 勝真 ,  坪倉 道明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245381
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080509
出願日： 2005年08月26日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】プラズマ媒質を用いた真空においてその処理のために薄い半導体基板ウエハを支持するように適合されたデバイスを提供する。【解決手段】半導体基板デバイスを支持するデバイスは、冷却システムおよび電気的接続手段を含んだ処理室に取り付けられたサンプルホルダ1を備える。このデバイスは静電的手段によって、またはクランプを用いてサンプルホルダ1に固定されるとともに電気的かつ熱的にサンプルホルダ1に接続された中間要素5aを備える。中間要素5aは取外し可能であり、支持する薄い基板4の操作を可能にするのに十分な剛性を有し、かつ基板4よりも高い導電率を有する第1の材料から成るベース7を含む。ベース7を被覆する第1の層8は高い誘電強度を有する第2の材料から成る。第1および第2の電極9a、9bが第1の層8上に配設される。第1の層8および電極を被覆する第2の層12は高い誘電強度を有する第3の材料から成る。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
冷却システムおよび電気的接続手段を含んだ処理室に取り付けられたサンプルホルダを備えた、半導体基板を支持するデバイスであって、該デバイスは、静電的手段によって、またはクランプを用いて前記サンプルホルダに固定されるとともに電気的かつ熱的に前記サンプルホルダに接続された中間要素をさらに備え、該中間要素は取外し可能であり、それが支持する薄い基板の操作を可能にするのに十分な剛性を有し、かつ 前記基板よりも高い導電率を有する第1の材料から成るベースと、 前記ベースを被覆しかつ高い誘電強度を有する第2の材料から成る第1の層と、 前記第1の層上に配設された第1および第2の電極と、 前記第1の層および前記電極を被覆しかつ高い誘電強度を有する第3の材料から成る第2の層とを含んだデバイス。
IPC (4件)：
H01L 21/683 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  C23C 16/458
FI (4件)：
H01L21/68 R ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 101G ,  C23C16/458
Fターム (20件)：
4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA47 ,  4K030LA15 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BD04 ,  5F031CA02 ,  5F031HA01 ,  5F031HA19 ,  5F031HA38 ,  5F031HA50 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031MA34 ,  5F031PA11 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM05
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 仏国特許出願第0451992号明細書
  • 米国特許出願第2002/110449号明細書
  • 米国特許出願第2004/037692号明細書
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審査官引用 (10件)
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