特許
J-GLOBAL ID：201603020880087098

ウェーハの加工方法

発明者：
中村 勝

中村 勝 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (5件)： 青木 宏義 ,  天田 昌行 ,  岡田 喜雅 ,  菅野 亨 ,  溝口 勉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-219097
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072475
特許番号：特許第6013858号
出願日： 2012年10月01日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され裏面に絶縁膜が形成されたウェーハの加工方法であって、 ウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って切削ブレードにより平坦な溝底を有する切削溝を形成し、該分割予定ラインに沿って絶縁膜を除去する絶縁膜除去工程と、 該絶縁膜除去工程を実施した後に、ウェーハの裏面から該切削溝を基準にしてアライメントを遂行し、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を該切削溝からウェーハ表面近傍の内部に位置づけて該切削溝に沿って照射し、ウェーハ表面近傍の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、 該改質層形成工程を実施した後に、ウェーハの裏面から研削手段により研削し仕上げ厚さへと薄化するとともに研削動作により該改質層を起点としてウェーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を備え、 該切削溝は、該平坦な溝底の表面粗さは0.1μm以下であり、該平坦な溝底の幅は該溝底に形成されるレーザースポット径以上の幅を有すること、を特徴とするウェーハの加工方法。
IPC (1件)：
H01L 21/301 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 B
引用特許：
出願人引用 (9件)
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