特許
J-GLOBAL ID:201603021198641381
金属ベース回路基板及び発光素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
棚井 澄雄
, ▲廣▼保 直純
, 荒 則彦
, 加藤 広之
, 五十嵐 光永
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-050559
公開番号(公開出願番号):特開2012-253320
特許番号:特許第5963074号
出願日: 2012年03月07日
公開日(公表日): 2012年12月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】 金属ベース上に絶縁層を介して導体回路が設けられた金属ベース回路基板であって、
前記絶縁層が液晶ポリエステルを含み、該液晶ポリエステルが、下記一般式(1)、(2)及び(3)で表される繰返し単位を有し、
前記金属ベースの厚さが20〜1000μmであり、
前記絶縁層の厚さが20〜90μmであり、
前記導体回路の厚さが9〜140μmであり、
該液晶ポリエステルの重量平均分子量が3000〜13000であり、
熱抵抗値が0.5°C/W以下、絶縁破壊電圧値が2.0kV以上であることを特徴とする金属ベース回路基板。
(1)-O-Ar1-CO-
(2)-CO-Ar2-CO-
(3)-X-Ar3-Y-
(式中、Ar1は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基であり;Ar2及びAr3は、それぞれ独立にフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記一般式(4)で表される基であり;X及びYは、それぞれ独立に酸素原子又はイミノ基であり;前記Ar1、Ar2及びAr3中の一つ以上の水素原子は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。)
(4)-Ar4-Z-Ar5-
(式中、Ar4及びAr5は、それぞれ独立にフェニレン基又はナフチレン基であり;Zは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基である。)
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許: