特許
J-GLOBAL ID：201603021269082656

熱膨張を補償するための手段を有する熱電モジュール

発明者：
リンベック ジーグリッド

リンベック ジーグリッド について

, 
ブリュック ロルフ

ブリュック ロルフ について


出願人/特許権者：
エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング

エミテック ゲゼルシヤフト フユア エミツシオンステクノロギー ミツト ベシユレンクテル ハフツング について


代理人 (2件)： 多田 繁範 ,  寺田 雅弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-548797
特許番号：特許第5918268号
出願日： 2012年01月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 長手方向(9)に延びて、アウターチューブ(2)、前記アウターチューブ(2)の範囲内に配置されるインナーチューブ(3)、および両者間に配置される隙間(4)を有する熱電モジュール(1)であって、少なくとも1つの第1のストリップ形の構造(5)および1つの第2のストリップ形の構造(7)が設けられ、前記インナーチューブ(3)に対する第1の接続部(6)から始まる前記第1のストリップ形の構造(5)、および前記アウターチューブ(2)に対する第2の接続部(12)から始まる前記第2のストリップ形の構造(7)は、前記インナーチューブ(3)および前記アウターチューブ(2)からそれぞれ離れた前記隙間(4)内において、円周方向(8)または前記長手方向(9)の少なくとも1つにおいて相互に逆の方向(11)に延びて、少なくとも前記円周方向(8)または前記長手方向(9)において、前記第1の接続部(6)および前記第2の接続部(12)から前記隙間(4)内へそれぞれ離間した位置に部分的な重なり部(10)を形成し、少なくとも1組の半導体素子(13)が前記重なり部(10)の領域において配置される、熱電モジュール(1)。
IPC (3件)：
H02N 11/00 ( 200 6.01) ,  H01L 35/30 ( 200 6.01) ,  F01N 5/02 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H02N 11/00 A ,  H01L 35/30 ,  F01N 5/02 J
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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