積層構造体、半導体製造装置用部材及び積層構造体の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-203586
公開番号（公開出願番号）：特開2014-058418
特許番号：特許第5934069号
出願日： 2012年09月14日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】マグネシウム-アルミニウム酸窒化物を主相とする第1構造体と、窒化アルミニウムを主相とし、ガーネット型の結晶構造を有する希土類アルミニウム複合酸化物の粒界相を含む第2構造体と、前記第1構造体と前記第2構造体との間に存在し希土類アルミニウム複合酸化物の粒界相の希薄な窒化アルミニウムの層である反応層と、を備え、前記反応層は、厚さが150μm以下であり、前記第1構造体と前記第2構造体の線熱膨張係数の差が0.3ppm/K以下である、積層構造体。

IPC (1件)：