岩城聡明

イワキトシヒロ | Iwaki Toshihiro

所属機関・部署：
職名：代表取締役
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：

ホームページURL (1件)： https://www.linktab.jp/

研究分野 (1件)：電力工学

研究キーワード (1件)：パワーエレクトロニクス

論文 (1件)：

T. Iwaki, S. Ishiwaki, T. Sawada, M. Yamamoto. Mathematical analysis of GaN high electron mobility transistor false turn-on phenomenon. ELECTRONICS LETTERS. 2017. 53. 19

特許 (18件)：

講演・口頭発表等 (9件)：

Analysis on Parasitic Capacitance to Prevent False Turn-On in GaN HEMT
(2021 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE) 2021)
インダクタを用いたSiC-MOSFET用ハイブリッド形ゲート駆動回路の実機検証
(電気学会全国大会 2019)
GaN HEMT 誤点弧現象の解析及び設計法に関する研究
(平成30年電気学会産業応用部門大会 2018)
パワー半導体におけるモデル化と次世代半導体モジュールの実装技術
(GaNコンソーシアム研究会 2018)
Application側からみた次世代 Power Deviceのあるべき姿と基板設計、実装技術について
(名古屋大学第6回パワエレ塾 2017)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (7件)：

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委員歴 (2件)：

所属学会 (3件)：

エレクトロニクス実装学会 , パワーエレクトロニクス学会 , 電気学会

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岩城 聡明