特許
J-GLOBAL ID：202103016229050375

電子基板

発明者：
内木 英喜

内木 英喜 について

, 
岩城 聡明

岩城 聡明 について


出願人/特許権者：
愛三工業株式会社

愛三工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人岡田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-062267
公開番号（公開出願番号）：特開2021-163817
出願日： 2020年03月31日
公開日（公表日）： 2021年10月11日
要約：
【課題】ハーフブリッジ方式若しくはフルブリッジ方式で構成されたスイッチング回路において、回路基板の導電層でスイッチング素子間の接続を実現することにより、スイッチング素子間を接続する配線を無くして配線部の寄生LCを抑制する。その結果、配線部の寄生LCによるノイズを抑制する。【解決手段】第1の金属層13と、ソースS及びドレインDが第1の金属層13により互いに電気接続され、スイッチング回路を構成する第1及び第2のスイッチング素子14A、14Bと、第1のスイッチング素子14AのドレインDに電気接続された第2の金属層15Aと、第2のスイッチング素子のソースSに電気接続された第3の金属層15Bとを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
導電性を有する第1の金属層と、 正負両電極のうちの一方の電極が前記第1の金属層を介して互いに電気接続され、ハーフブリッジ方式若しくはフルブリッジ方式のスイッチング回路の少なくとも一部を構成する一対のスイッチング素子と、 該一対のスイッチング素子のうちの第1のスイッチング素子における前記正負両電極のうちの他方の電極に電気接続されて、導電性を有する第2の金属層と、 前記一対のスイッチング素子のうちの第2のスイッチング素子における前記正負両電極のうちの他方の電極に電気接続されて、導電性を有する第3の金属層とを備え、 前記第1の金属層に電気接続された前記第1のスイッチング素子の電極及び前記第2のスイッチング素子の電極は、相互に逆極性とされており、 前記第2の金属層及び前記第3の金属層に電気接続された前記第1のスイッチング素子の電極及び前記第2のスイッチング素子の電極は、相互に逆極性とされている、電子基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/14
FI (4件)：
H05K3/46 Q ,  H05K1/02 P ,  H05K3/46 Z ,  H05K1/14 A
Fターム (28件)：
5E316AA02 ,  5E316AA35 ,  5E316AA42 ,  5E316AA43 ,  5E316BB03 ,  5E316BB11 ,  5E316CC02 ,  5E316CC08 ,  5E316CC32 ,  5E316DD02 ,  5E316FF07 ,  5E316HH04 ,  5E316JJ13 ,  5E338AA03 ,  5E338AA16 ,  5E338BB13 ,  5E338BB61 ,  5E338BB75 ,  5E338CC04 ,  5E338CC05 ,  5E338CD23 ,  5E338EE13 ,  5E344AA01 ,  5E344BB02 ,  5E344CC23 ,  5E344CD02 ,  5E344DD02 ,  5E344EE30
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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