研究者
J-GLOBAL ID:201701016014142376   更新日: 2019年10月24日

市川 和典

イチカワ カズノリ | Kazunori Ichikawa
所属機関・部署:
職名: 准教授
論文 (4件):
  • K. Ichikawa, S. Tateishi, H. Akamatsu. Oxygen concentration dependence of transfer free graphene thin film transistor. The 15th International Thin-Film Transistor Conference (ITC2019). 2019. 100-101
  • R. Morioka, K. Ichikawa, H. Akamatsu, T. Ohshima. Nickel nitride semiconductor was synthesized by thermal chemical vapor deposition. Proceedings of the 41st International Symposium on Dry Process (DPS2019). 2018. 179-180
  • Hiroshi Akamatsu, Ko-ya Kuriyama, Shin-ichi Yamamoto, Kazunori Ichikawa. Plasma-assisted formation of oxide thin film at atmospheric pressure and unheated process. 2nd Asia-Pacific Conference on Plasma Physics. 2018. 100-100
  • K. Kuriyama, H. Akamatsu, S. Yamamoto, K. Ichikawa. Plasma-assisted synthesis of zinc oxide thin film using two different precursor materials. Proceedings of the 41st International Symposium on Dry Process (DPS2019). 2018. 249-250
講演・口頭発表等 (5件):
  • カキの貝殻の電子デバイスへの応用
    (平成30年度電気学会中国支部 第11回高専研究発表会 2019)
  • プラズマプロセスによる窒化ニッケル薄膜の作製
    (第28回日本MRS年次大会 2018)
  • グラフェン合成における酸素濃度依存性
    (第15回薄膜材料デバイス研究会 2018)
  • Niの熱窒化により作製したNi窒化物半導体の酸素依存性
    (第15回薄膜材料デバイス研究会 2018)
  • 次世代パワー半導体を用いたパルス電源用コンデサ充電電源
    (電気学会平成30年基礎・材料・共通部門大会 2018)
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