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J-GLOBAL ID：201702210300871659   整理番号：17A0504161

活性層接合後のエピタキシャル成長により作製したSi上のメンブレンレーザに対するデバイスパラメータの評価

Evaluation of Device Parameters for Membrane Lasers on Si Fabricated with Active-Layer Bonding Followed by Epitaxial Growth

著者 (14件)： FUJII Takuro (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation) ,  FUJII Takuro (NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation) ,  TAKEDA Koji (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation) ,  TAKEDA Koji (NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation) ,  KANNO Erina (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation) ,  HASEBE Koichi (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation) ,  HASEBE Koichi (NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation) ,  NISHI Hidetaka (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation) ,  NISHI Hidetaka (NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation) ,  YAMAMOTO Tsuyoshi (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation) ,  KAKITSUKA Takaaki (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation) ,  KAKITSUKA Takaaki (NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation) ,  MATSUO Shinji (NTT Device Technology Labs., NTT Corporation) ,  MATSUO Shinji (NTT Nanophotonics Center, NTT Corporation)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E100.C  号： 2  ページ： 196-203(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,熱酸化したSi基板(SiO₂/Si基板)上のメンブレン分布ブラッグ反射器(DBR)レーザを開発し,著者らが開発してきたon-Siレーザのパラメータを評価した。レーザは,InP基板上に成長したInGaAsPベースの多重量子井戸(MQW)を持った。この活性エピタキシャル層をSiO₂/Si基板に移送するために直接接合を使用した後,Si上に埋設ヘテロ構造(BH)を作製するためにInPのエピタキシャル成長を行った。ラテラルPIN構造を,Znの熱拡散及びSiのイオン注入により形成した。内部量子効率や内部損失などのレーザパラメータを評価するために,長さ200~600μmの活性領域を持つ長共振器レーザを作製した。作製したDBRレーザは,活性領域の長さがそれぞれ200,300,400,及び600μmの場合に,それぞれ1.7,2.1,2.8,及び3.7mAのしきい値電流を示した。微分量子効率も活性領域の長さに依存した。さらに,レーザ特性は活性領域とp型ドープ領域の間の距離に依存した。また,著者らは,適切なドーピング分布において,内部損失は10.2cm^-1,内部量子効率は32.4%であると評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *パラメータ推定 ,  活性層 ,  エピタクシー ,  *膜 ,  *DBRレーザ ,  多重量子井戸 ,  素子構造
準シソーラス用語： *パラメータ評価 ,  エピタキシャル成長 ,  *メンブレン ,  ヘテロ構造

著者キーワード (4件)： epitaxial growth ,  direct bonding ,  membrane lasers ,  silicon photonics

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (19件)：

• [1] http://www.cisco.com/c/en/us/solutions/collateral/service-provider/global-cloud-index-gci/Cloud_Index_White_Paper.html
• [2] W. Kobayashi, T. Ito, T. Yamanaka, T. Fujisawa, Y. Shibata, T. Kurosaki, M. Kohtoku, T. Tadokoro, and H. Sanjoh, “50-Gb/s direct modulation of 1.3-μm InGaAlAs-based DFB laser with ridge waveguide structure,” IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., vol.19, no.4, p.1500908, July/Aug. 2013.
• [3] K. Nakahara, Y. Wakayama, T. Kitatani, T. Taniguchi, T. Fukamachi, Y. Sakuma, and S. Tanaka, “Direct modulation at 56 and 50Gb/s of 1.3-μm InGaAlAs ridge-shaped-BH DFB lasers,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol.27, no.5, pp.535-536, March 2015.
• [4] Y. Matsui, T. Pham, T. Sudo, G. Carey, B. Young, J. Xu, C. Cole, and C. Roxlo, “28-Gbaud PAM4 and 56-Gb/s NRZ Performance Comparison Using 1310-nm Al-BH DFB Laser,” J. Light. Technol., vol.34, no.11, pp.2677-2683, June 2016.
• [5] M. Sugo, H. Mori, M. Tachikawa, Y. Itoh, and M. Yamamoto, “Room-temperature operation of an InGaAsP double-heterostructure laser emitting at 1.55mm on a Si substrate,” Appl. Phys. Lett., vol.57, no.6, pp.593-595, April 1990.

タイトルに関連する用語 (6件)： 活性層 ,  エピタキシャル成長 ,  作製 ,  Si ,  パラメータ ,  評価