抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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半導体の微細化とともに,CMP工程で使用される砥粒径は小さくなる傾向にあり,効率よく除去するCMP後の洗浄技術が求められている。そこで,数十~数百nmオーダーのシリカ粒子による汚染サンプルウェーハを用いてウェーハ回転時の液流れにおける粒子除去特性について調査した。さらに,ウェーハ回転時の液流れの可視化像と対比することで,液流れによる粒子除去特性を明らかにする。(著者抄録)