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J-GLOBAL ID：201702211128224906   整理番号：17A0129129

超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発

Development of wafer structure and monolithic integrated GaN-μLED driver circuit for large-scale optoelectronic chip

著者 (9件)： 土山和晃 (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  宇都宮脩 (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  中川翔太 (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  山根啓輔 (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  関口寛人 (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  岡田浩 (豊橋技科大 エレクトロニクス先端融合研) ,  岡田浩 (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  若原昭浩 (豊橋技科大 大学院工学研究科) ,  若原昭浩 (豊橋技科大 エレクトロニクス先端融合研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 357(CPM2016 90-112)  ページ： 79-83  発行年： 2016年12月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本報告では,次世代の光電子集積の一つの方法論として我々が提案する,Si/SiO₂/GaN-LED基板構造の作製技術およびそれを用いたGaN-μLEDとSi-MOSFETのモノリシック集積技術の実証を行う。作製したSi/SiO₂/GaN-LED構造の熱耐性を検証し,Siデバイス層の薄膜化とLED層の許容熱収支からモノリシック集積工程を設計した。最終的に,Si/SiO₂/GaN-LED構造に対してGaN-μLEDおよびSi-nMOSFETからなるGaN-μLED用駆動回路の作製を行い,静特性および動特性の評価を行った。その結果,両者ともに致命的な劣化の無い典型的なデバイス特性が得られたことから,本技術による超大規模光電子融合チップの実現が期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： 光電子 ,  半導体チップ ,  基板 ,  *半導体集積回路 ,  窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  駆動回路

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 大規模 ,  光電子 ,  融合 ,  モノリシック集積 ,  GaN ,  LED ,  駆動回路 ,  開発