Qiao Ming について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について
Wang Zhengkang について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について
Wang Yuru について
Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong について
Yu Liangliang について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について
Xiao Qianqian について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について
Li Zhaoji について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について
Zhang Bo について
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China について
IEEE Transactions on Electron Devices について
活性部位 について
解析モデル について
三次元 について
電場 について
最適化 について
上層 について
シミュレーション について
電荷 について
電界分布 について
数値シミュレーション について
アバランシェ降伏 について
遷移領域 について
絶縁破壊電圧 について
固有オン抵抗 について
LDMOS について
RESURF について
トランジスタ について
エッジ について
終端 について
設計 について
上部層 について
RESURF について
LDMOS について
モデル について