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J-GLOBAL ID：201702211341173460   整理番号：17A1955659

Operando軟X線光電子ナノ分光法を利用することによるGaNトランジスタの表面電子トラッピングの定量

Quantification of Surface Electron Trapping of GaN Transistors by Using Operando Soft X-ray Photoelectron Nanospectroscopy

著者 (12件)： FUKIDOME Hirokazu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OMIKA Keiichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TATENO Yasunori (Sumitomo Electric Ind., Yokohama, JPN) ,  KOUCHI Tsuyoshi (Sumitomo Electric Ind., Yokohama, JPN) ,  KOMATANI Tsutomu (Sumitomo Electric Device Innovation, Yamanashi, JPN) ,  NAGAMURA Naoka (NIMS, Ibaraki, JPN) ,  KONNO Syun (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  TAKAHASHI Yoshinobu (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KOTSUGI Masato (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  HORIBA Koji (KEK/PF, Tsukuba, JPN) ,  SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OSHIMA Masaharu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM)  (Program/Abstracts of ISSS (CD-ROM))
巻： 8th  ページ： ROMBUNNO.6pA2-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： L8395B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： HEMT ,  *窒化ガリウム ,  *電力トランジスタ ,  電子系 ,  低次元系 ,  二次元 ,  *電子状態 ,  表面 ,  *表面準位 ,  *電子 ,  捕獲 ,  捕獲中心 ,  *軟X線 ,  *光電子分光法 ,  結合エネルギー ,  エネルギー分布 ,  計算機シミュレーション ,  電極 ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  ナノメータ ,  二次元電子系 ,  窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ ,  *電子トラップ ,  表面電子状態

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩  (CD01050V) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 軟X線 ,  光電子 ,  分光法 ,  GaN ,  トランジスタ ,  電子 ,  トラッピング ,  定量