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J-GLOBAL ID：201702211749590274   整理番号：17A1121876

65cm V~ 1S~ 1以上の電子移動度をもつ溶液法で作製した酸化ネオジム/ZnO薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

Solution-Processed Neodymium Oxide/ZnO Thin-Film Transistors with Electron Mobility in Excess of 65 cm V^-1 s^-1

著者 (7件)： Esro Mazran (Engineering Department, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YR, UK) ,  Kolosov Oleg (Quantum Technology Centre, Department of Physics, University of Lancaster, Lancaster, LA1 4YW, UK) ,  Stolojan Vlad (Advanced Technology Institute, Electronic and Electrical Engineering, University of Surrey, Guildford, GU2 7HX, UK) ,  Jones Peter J. (Engineering Department, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YR, UK) ,  Milne William I. (Department of Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0FA, UK) ,  Milne William I. (Quantum Nanoelectronics Research Center (QNERC), Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8550, Japan) ,  Adamopoulos George (Engineering Department, Lancaster University, Lancaster, LA1 4YR, UK)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 4  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,約400°Cの中程度の温度と溶液処理ZnO半導体チャネルを用いた薄膜トランジスタにおけるゲート誘電体も示したようにそれらの実行での環境条件下で堆積した溶液処理したNd_2O_3薄膜について報告した。Nd_2O_3膜の光学,誘電,電気,構造,表面および界面の性質は広範囲な立方晶構造の平滑Nd_2O_3膜,広いバンドギャップ(6 eV),高k(11),及び低漏れ電流(<0.5 nA cm~ 2)を明らかにするキャラクタリゼーション技術を用いて調べた。ZnOチャネルを用いた薄膜トランジスタ(TFT)は65cm~2V~ 1s~ 1の過剰,10~6と10~7の範囲で高いオン/オフ電流比,無視できるヒステリシス,高電子移動度のような優れた特性を示した。素子は優れた一定バイアス応力と空気安定性空気,すなわち,電子移動度としきい値電圧(<12%)のわずかな減少のみを示した。添加では,優れた均一性とガラス基板上に大気中の比較的低い蒸着温度(使われた真空ベースの技術の大部分で使用されるものと比較して)と組み合わせた実証したことを均一性をゲート誘電体低製造コストで溶液から成長させたを用いた金属酸化物ベースTFTの迅速な開発のための可能性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  *薄膜トランジスタ ,  ゲート絶縁膜 ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  ヒステリシス ,  漏れ電流 ,  チャネル ,  バイアス ,  *酸化亜鉛 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  閾値電圧 ,  溶液処理 ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ゲート誘電体 ,  酸化ネオジム ,  溶液処理エレクトロニクス ,  噴霧熱分解 ,  薄膜トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子移動度 ,  溶液 ,  作製 ,  酸化ネオジム ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ