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J-GLOBAL ID：201702211775535347   整理番号：17A1555155

TSV充填に及ぼすパルスと超音波撹はんの影響【Powered by NICT】

The influence of pulse and ultrasonic agitation on TSV filling

著者 (2件)： Zeng Peng (Central South University, State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing and School of Mechanical and Electronical Engineering, Changsha, 410083, China) ,  Ren Xinyu (Central South University, State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing and School of Mechanical and Electronical Engineering, Changsha, 410083, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEPT  ページ： 432-435  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 携帯電話などの無線通信電子機器の発展に伴い,集積回路は,小型化,軽量,低消費電力,高効率に向けて開発中である。TSVは次世代3次元実装技術,特に集積回路チップのコアについての一部として大きな可能性を有する。TSV充填プロセス中に形成された容易に小孔と亀裂のために,超充填を達成する方法であることが非常に重要である。本論文では,TSVのアスペクト比は3:1(深さ60μm,幅20μm)であり,外部条件の影響は,TSV充填について研究し,TSV改善に及ぼす外部条件は非常に明白なことが分かった。TSV充填に及ぼす異なる電流密度の影響を研究した。DCめっきのための最適条件は,この条件下で0.2名のASDであり,超音波撹拌を適用し,最良の電流密度は約0.4ASDであり,次にパルスめっきは,超音波撹拌下で適用したことが分かり,最良の電流密度は0.6ASDに達し,このモードで電流密度は三倍DCめっきである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *撹拌 ,  集積回路 ,  最適条件 ,  携帯電話 ,  アスペクト比 ,  小型化 ,  *パルス ,  無線伝送 ,  電流密度 ,  *超音波 ,  細孔 ,  電子装置 ,  めっき
準シソーラス用語： パルスめっき ,  三次元実装 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： TSV ,  パルス ,  超音波 ,  撹はん