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J-GLOBAL ID：201702212031758950   整理番号：17A0617151

同時スパッタリング法により作製したBiドープアンチモン亜鉛薄膜の微細構造と室温熱電特性

Micro-structure and Room-Temperature Thermoelectric Properties of Bi-Doped Antimony Zinc Thin Films Fabricated by Co-sputtering Method

著者 (10件)： WEI Meng (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  FAN Ping (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZHENG Zhuang-Hao (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZHENG Zhuang-Hao (Shenzhen Key Lab. Sensor Technol., Shenzhen, CHN) ,  ZHENG Zhuang-Hao (Univ. Rennes 1, Rennes, FRA) ,  LUO Jing-Ting (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  LUO Jing-Ting (Shenzhen Key Lab. Sensor Technol., Shenzhen, CHN) ,  LIANG Guang-Xing (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZHONG Ai-Hua (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  YIN Mei-Mei (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 5  ページ： 3057-3061  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,BK7ガラス基板上に直接マグネトロン同時スパッタリング法を用いてBiドープアンチモン亜鉛薄膜を作製し,BiドーピングがZnSb薄膜の熱電特性に与える影響を調べた。その結果,BiドーピングによりZnSb電気伝導度が減少し,Seebeck係数が増加することを示した。Bi含有量が6at%の場合,Seebeck係数が300μV/Kと大きいことが分かった。キャリア濃度により,導電率およびSeebeck係数の深い理解を得た。また,Biドーピングが4at%である試料の力率は0.26mW/mK²の最適値に達し,ZTは0.086に達した。

シソーラス用語： *アンチモン化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *ビスマス添加合金 ,  微細構造 ,  *電気特性 ,  *スパッタリング ,  電気伝導率 ,  輸送係数
準シソーラス用語： *Bi添加合金 ,  Seebeck係数 ,  *アンチモン化亜鉛 ,  電気伝導度 ,  *同時スパッタリング ,  熱電特性

分類 (2件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (10件)： 同時スパッタリング ,  作製 ,  Bi ,  ドープ ,  アンチモン ,  亜鉛 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  室温 ,  熱電特性