LiZnAs半導体材料のバルク結晶成長と高分解能X線回折結果

MONTAG Benjamin W.; REICHENBERGER Michael A.; SUNDER Madhana; UGOROWSKI Philip B.; NELSON Kyle A.; HENSON Luke C.; MCGREGOR Douglas S.

文献

J-GLOBAL ID：201702212191417249 整理番号：17A1054449

LiZnAs半導体材料のバルク結晶成長と高分解能X線回折結果

Bulk Crystal Growth, and High-Resolution X-ray Diffraction Results of LiZnAs Semiconductor Material

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A1054449&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A1054449&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0277B") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 46 号： 8 ページ： 4875-4882 発行年： 2017年08月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本稿では,固体中性子検出器としての応用を目的とした固体デバイスへの適用のために,LiZnAsのバルク結晶成長と高分解能X線回折結果を提示した。LiZnAsのバルク結晶成長は,精製した材料から成長させた種々のサイズのインゴットを,るつぼ内張り石英アンプルを用いて1230°Cから1250°Cでの溶融技術によってLiZnAsバルク結晶成長させた。その後,研磨したLiZnAs試料を,湿気および空気からの保護下で,エネルギー分散型X線回折装置(EDXRD)を用いて結晶構造および配向について評価した。回折光のエネルギープロットを,試料が結晶表面の法線(0)の周りを回転するときに収集した。回折エネルギープロットのピークは,結晶からのラウエ反射に対応した。これらのプロットから面外d間隔,ミスカット度,主方位を求めた。

, , , , , , , ,
,

固体デバイス材料 , 固体デバイス製造技術一般

, , ,

前のページに戻る