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J-GLOBAL ID：201702212262205119   整理番号：17A1020068

人工設計された欠陥を用いた太陽電池のための結晶性Siにおける不純物分布【Powered by NICT】

Controlling impurity distributions in crystalline Si for solar cells by using artificial designed defects

著者 (3件)： Hayama Yusuke (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan) ,  Takahashi Isao (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan) ,  Usami Noritaka (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 610-613  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 人工設計された欠陥を用いたによるSi中の鉄不純物分布の制御について報告した。Siウエハ,局在化した転位と高品質領域の高い密度を持つように設計され,格子間鉄濃度と全鉄量の測定したを利用した。は間質性鉄は600°Cでのアニーリングにより高密度の転位で蓄積可能であることを示唆した。添加では,格子間鉄濃度は800°Cから400°Cまでの徐冷によって減少した。これらの結果は,多数の格子間鉄のアニーリングによる高転位密度の条件で沈殿していることを示した。,不純物分布が特定の熱処理条件下における人工設計欠陥を用いて制御できると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *不純物分布 ,  *不純物 ,  *太陽電池 ,  徐冷 ,  鉄 ,  *結晶度 ,  転位密度 ,  焼なまし ,  *ケイ素 ,  熱処理条件
準シソーラス用語： 高密度 ,  高品質 ,  局在化 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1欠陥 ,  A1不純物 ,  B3太陽電池 ,  B2半導体シリコン ,  A2工業晶析 ,  A1拡散

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 人工 ,  設計 ,  欠陥 ,  太陽電池 ,  結晶性Si ,  不純物分布