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J-GLOBAL ID：201702213730318057   整理番号：17A0193480

エピタキシーの基礎~ステップダイナミクスと熱力学的考察~窒化物半導体MOVPEの熱力学解析~面方位依存性~

Thermodynamic analysis of III-nitride MOVPE: Growth orientation dependence

著者 (8件)： 寒川義裕 (九大 応用力学研) ,  寒川義裕 (九大 大学院工学府) ,  寒川義裕 (名古屋大 未来材料・システム研) ,  草場彰 (九大 大学院工学府) ,  白石賢二 (名古屋大 未来材料・システム研) ,  柿本浩一 (九大 応用力学研) ,  柿本浩一 (九大 大学院工学府) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院工学研究院)
資料名： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
巻： 43  号： 4  ページ： 233-238  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： F0452C  ISSN： 2188-7268  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者らが開発した気相の自由エネルギーを組み込んだ熱力学的解析手法を改良して,窒化物の成長条件と成長過程の関係を調査した。本報告では,MOVPEで製膜したInNの表面再構成に及ぼす面方位を含めた成長条件の影響を調査した。その結果は,面方位によって最適成長温度も異なることを熱力学的に示すものであった。

シソーラス用語： *熱力学 ,  自由エネルギー ,  気相 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MOCVD ,  *窒化インジウム ,  表面再構成 ,  *結晶方位 ,  *温度依存性
準シソーラス用語： MOVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (16件)：

• S. Tsukamoto, N. Koguchi: J. Cryst. Growth, 201-202 (1999) 118.
• J. E. Northrup: Phys. Rev. B, 44 (1991) 1419.
• Y. Kangawa, T. Ito, A. Taguchi, K. Shiraishi, T. Ohachi, Surf. Sci., 493 (2001) 178.
• Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, T. Nakayama, Materials, 6 (2013) 3309.
• Y. Kangawa, T. Ito, A. Koukitu, K. Kakimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 53 (2014) 100202.

タイトルに関連する用語 (8件)： エピタキシー ,  基礎 ,  ダイナミクス ,  熱力学 ,  窒化物半導体 ,  MOVPE ,  熱力学解析 ,  方位依存性