抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
単結晶基板上にエピタキシャル成長させたCr(100),Cr(211),Cu(111)下地層上に,基板温度500°CでR
17Co
83(at.%,R=Sm,Gd,Y,Er)合金薄膜を形成し,膜成長と構造について調べた。Cr(100)およびCr(211)下地層の場合,Sm-CoおよびGd-Co膜は,D2
d型構造のRCo
5エピタキシャル六方晶から構成されたのに対して,Y-CoおよびEr-Co膜にはアモルファ相が含まれた。より低い融点を持つR元素を用いることにより,結晶化が促進される傾向が認められた。一方,Cu(111)下地層の場合,すべてのR元素に対して,RCo
5エピタキシャル結晶が形成された。下地層のCu原子がR-Co膜に拡散し,RCo
5構造におけるCoサイトを部分置換することにより,規則相形成が安定化させられているものと解釈された。(著者抄録)