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J-GLOBAL ID：201702214282058196   整理番号：17A1392357

シリコンにおける残留応力への電解グラフト化高分子絶縁体を用いた高アスペクト比TSVの湿式メタライゼーション【Powered by NICT】

Wet Metallization of High Aspect Ratio TSV Using Electrografted Polymer Insulator to Suppress Residual Stress in Silicon

著者 (7件)： Dequivre Thomas (Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique, University of Sherbrooke, Sherbrooke, QC, Canada) ,  Kolhatkar Gitanjali (Institut National de la Recherche Scientifique, Varennes, QC, Canada) ,  Hadj Youssef Azza (Institut National de la Recherche Scientifique, Varennes, QC, Canada) ,  Le Xuan T. (Teledyne Dalsa, Bromont, QC, Canada) ,  Brisard Gessie M. (Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique, University of Sherbrooke, Sherbrooke, QC, Canada) ,  Ruediger Andreas (Institut National de la Recherche Scientifique, Varennes, QC, Canada) ,  Charlebois Serge A. (Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique, University of Sherbrooke, Sherbrooke, QC, Canada)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 17  号： 3  ページ： 514-521  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スルーシリコンバイア(TSV)が3次元集積マイクロシステムへの鍵である。それらの作製は,ビアの周りで,シリコン中に誘起された熱機械的応力に関連した信頼性問題に導く。本論文では,著者らは,ポリ4-ビニルピリジン(P4VP),従来の酸化けい素層を置き換えるために電解グラフト化高分子絶縁体を用いた高アスペクト比銅TSV(HAR TSV)におけるけい素残留応力を小さくすること提案した。Raman分光法を用いて,P4VP絶縁TSV近傍で形成されるSiにおける残留応力の一次調査を行い,SiO_2~絶縁TSVにそれを比較した。結果は,Siで測定した残留応力は高分子絶縁HAR TSV室温近傍で著しく減少しているとしてP4VPはその特別な機械的性質のため,応力緩衝層として作用することを示した。このような技術の潜在的な利点は,3次元集積化マイクロシステム,大きい集積密度の良好な熱-機械的信頼性だけでなくした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電解 ,  Raman分光法 ,  *移植片 ,  機械的性質 ,  *メタライゼーション ,  *ケイ素 ,  信頼性 ,  *高分子 ,  バッファ層 ,  *残留応力 ,  酸化ケイ素 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 機械的ストレス ,  三次元集積化 ,  *高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  残留応力 ,  電解 ,  グラフト ,  高分子 ,  絶縁体 ,  高アスペクト比 ,  TSV ,  メタライゼーション