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J-GLOBAL ID：201702214817055676   整理番号：17A1811207

MOCVDでシリコン(100)基板上に成長させた{100}配向Pb(Zr,Ti)O₃膜の面内配向と結晶構造の組成依存性及び電気的性質

In-plane orientation and composition dependences of crystal structure and electrical properties of {100}-oriented Pb(Zr,Ti)O₃ films grown on (100) Si substrates by metal organic chemical vapor deposition

著者 (7件)： OKAMOTO Shoji (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  KRISHNAN P. S. Sankara Rama (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  OKAMOTO Satoshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  YOKOYAMA Shintaro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  AKIYAMA Kensuke (Kanagawa Inst. of Industrial Sci. and Technol., Kanagawa, JPN) ,  AKIYAMA Kensuke (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 10S  ページ： 10PF12.1-10PF12.5  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *配向 ,  *結晶構造 ,  *依存性 ,  *電気的性質 ,  白金 ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  酸素酸塩 ,  ニッケル酸塩 ,  ランタン化合物 ,  セラミック ,  酸化イットリウム ,  酸化ジルコニウム ,  *誘電率 ,  *誘電分極 ,  *薄膜 ,  *集合組織 ,  *歪 ,  原子間力顕微鏡 ,  *抗電場
準シソーラス用語： *シリコン基板 ,  *組成依存性 ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  ニッケル酸ランタン ,  イットリア安定化ジルコニア ,  *飽和分極 ,  *エピタキシャル膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (11件)： MOCVD ,  シリコン ,  成長 ,  配向 ,  Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  結晶構造 ,  組成依存性 ,  電気的性質