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J-GLOBAL ID:201702214901911134   整理番号:17A0716535

架橋可能なポリシロキサン/ポリスチレンブレンドの相分離からの緻密で高アスペクト比のサブ-50nmナノピラーのウエハスケール作製

Wafer Scale Fabrication of Dense and High Aspect Ratio Sub-50 nm Nanopillars from Phase Separation of Cross-Linkable Polysiloxane/Polystyrene Blend
著者 (16件):
資料名:
巻:号: 15  ページ: 13685-13693  発行年: 2017年04月19日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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液状のアクリル化ポリシロキサンとポリスチレン(PS)の両成分を含有する種々の重量比および濃度の溶液を調製した。この溶液を珪素ウエハ上にスピンコートしてポリマブレンドを相分離させた。相分離膜はPSマトリックスと50nm以下のサイズの分散したポリシロキサンピラーアレイから成っていた。膜を紫外線照射してアクリル化ポリシロキサンを架橋した。O2気流下の反応性イオンエッチング(RIE)によって膜中のPSを除去し,且つポリシロキサンをシリカ類似種へと酸化した。エッチングした構造物のアスペクト比はブレンド膜の下方に,SU-8フォトレジスト層のような,有機移動層の導入によって一層増大させることができた。シリカ類似組成のナノピラーは選択的エッチング過程によるより高いアスペクト比のもののためのO2エッチングマスクとしての役割を果たすことができた。O2RIE後に,ナノピラー中の底部に残る残留層をCHF3RIEによって除去した。次いで,第二のO2RIEによってナノピラーをSU-8層中に移した。表面上に厚さ30nmのAu層を真空蒸着させたナノピラーアレイは表面増強Raman分光法において高いRaman散乱増強係数を示した。また表面上にぺルフルオロオクチルトリクロロシランの自己集合単分子層を被覆することによって超疎水性表面を与えることができた。
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
高分子固体の構造と形態学 

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