文献

J-GLOBAL ID：201702215049547740   整理番号：17A1220742

有機金属気相エピタキシによってパルスレーザ蒸着AlN/GaNテンプレート上に成長したGaNの極性制御

Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (7件)： YOO Jinyeop (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHOJIKI Kanako (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TANIKAWA Tomoyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KUBOYA Shigeyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANADA Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KATAYAMA Ryuji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUOKA Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 5S  ページ： 05FA04.1-05FA04.5  発行年： 2016年05月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタキシ成長Ga極性GaNテンプレート上のパルスレーザ蒸着成長N極性AlN上へ再成長したGaNの極性制御について報告した。KOH水溶液を使って確認した再成長GaNの極性を,低温GaN(LT-GaN)バッファ層の挿入によってAlNの極性から反転できる。LT-GaNバッファ層上のGaNのGa極性の選択を,LT-GaNの結晶粒の混合された極性と高温成長の初期段階中にN極性結晶粒をすっかり覆うGa-極性の結晶粒のより高い成長速度によるものであると推測した。X線ロッキングカーブの解析はN極性の再成長GaN中の刃状転位密度はGa-極性の再成長GaNより1/5から1/8と少ないことを明らかにした。N-極性GaNはより高温でN-極性AlN上の直接に成長する。したがって,核の島がLT-GaNよりも大きく成長し,刃状転位が現れる島の間のコアレッセンス境界の面積比率が小さくなる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *パルスレーザ蒸着 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  基板 ,  極性 ,  制御 ,  層 ,  *結晶成長 ,  *バッファ層 ,  反転 ,  結晶粒界 ,  成長速度 ,  *刃状転位 ,  *転位密度 ,  コアレッセンス ,  *核形成 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  島状構造
準シソーラス用語： *有機金属気相エピタキシー ,  中間層 ,  *低温成長 ,  極性反転 ,  再成長

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (32件)：

• T. Matsuoca, N. Yoshimoto, T. Sasaki, and A. Katsui, J. Electron. Mater. 21, 157 (1992).
• A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka, J. Appl. Phys. 99, 123513 (2006).
• G. Namkoong, S. Burnham, K. K. Lee, E. Trybus, and W. A. Doolittle, Appl. Phys. Lett. 87, 184104 (2005).
• M. Tanaka, M. Nishikino, H. Yamatani, K. Nagashima, Y. Furukawa, H. Murakami, S. Saito, N. Sarukura, Y. Kagamitani, D. Ehrentraut, and T. Fukuda, Appl. Phys. Lett. 91, 231117 (2007).
• S. J. Wang, N. Li, E H. Park, S. C. Lien, Z. C. Feng, A. Valencia, J. Nause, and I. Ferguson, J. Appl. Phys. 102, 106105 (2007).

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属気相エピタキシ ,  パルスレーザ蒸着 ,  AlN ,  GaN ,  テンプレート ,  成長 ,  極性