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J-GLOBAL ID：201702215101548238   整理番号：17A0385839

窒化したc面とa面のサファイア基板上のAlNのヘテロエピタクシー機構

Heteroepitaxy mechanisms of AlN on nitridated c- and a-plane sapphire substrates

著者 (3件)： Funato Mitsuru (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Shibaoka Mami (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Kawakami Yoichi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 8  ページ： 085304-085304-7  発行年： 2017年02月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 基板 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *窒化アルミニウム ,  MOCVD ,  窒化 ,  アンモニア ,  空孔欠陥 ,  分域構造 ,  X線回折 ,  スペクトル線幅 ,  薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  *サファイア基板 ,  改変
準シソーラス用語： *MOVPE ,  ボイド【結晶】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化 ,  サファイア基板 ,  AlN ,  ヘテロエピタクシー