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J-GLOBAL ID：201702215229476593   整理番号：17A1544951

600V込p-ゲートGaNH EMTの電気的および熱的破壊モード【Powered by NICT】

Electrical and thermal failure modes of 600V p-gate GaN HEMTs

著者 (4件)： Oeder Thorsten (Chair of Energy Conversion, TU Dortmund, Emil-Figge-Strasse 68, Dortmund 44227, Germany) ,  Oeder Thorsten (Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC), University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom) ,  Castellazzi Alberto (Power Electronics, Machines and Control Group (PEMC), University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom) ,  Pfost Martin (Chair of Energy Conversion, TU Dortmund, Emil-Figge-Strasse 68, Dortmund 44227, Germany)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 321-326  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 600V pドープGaNH EMTの電気的および熱的破壊モードの研究を提示した,これは短絡限界の研究に焦点を当てた。電気破壊モードは過剰キャリア濃度よりもむしろ一次熱ジェネレイテッド(one-generated)に起因する構造における電場破壊であると思われる。熱破壊モードが観測され,これは特徴的な挙動を特徴とし,ショットキーゲートH EMTと同様であると思われる。電気破壊モードについて,特異的p-ゲートH EMT短絡安全動作領域(SCSOA)は新規性として提示した。しかし,520Vまでの短絡能力が達成され,ゲート駆動回路の設計に関することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 過剰キャリア ,  電場 ,  *破壊モード ,  ドーピング ,  ゲート回路
準シソーラス用語： 安全動作領域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 窒化ガリウム(GaN) ,  高電子移動度トランジスタ(HEMT) ,  Pドープゲート(込p-ゲート) ,  短絡 ,  安全動作領域 ,  電気破壊 ,  熱破壊

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート ,  EMT ,  破壊モード