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J-GLOBAL ID：201702215463578549   整理番号：17A1090423

スズ-オキソケージの極限紫外線パターン形成

Extreme ultraviolet patterning of tin-oxo cages

著者 (7件)： HAITJEMA Jarich (Advanced Res. Center for Nanolithography, Amsterdam, NLD) ,  ZHANG Yu (Advanced Res. Center for Nanolithography, Amsterdam, NLD) ,  VOCKENHUBER Michaela (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  KAZAZIS Dimitrios (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  EKINCI Yasin (Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE) ,  BROUWER Albert M. (Advanced Res. Center for Nanolithography, Amsterdam, NLD) ,  BROUWER Albert M. (Univ. Amsterdam, Amsterdam, NLD)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10143  ページ： 1014325.1-1014325.10  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUV放射のためのネガ型フォトレジストとして機能するスズ-オキソケージ分子の性能を大幅に最適化した。プロセス条件を最適化すれば,意味のあるフォトレジストパラメータは感度と解像度のみであることを示した。ここでは,EUV干渉リソグラフィーを用いて,ケージのパターン形成と大面積EUV露光量を用いて,材料のコントラスト曲線に焦点を合わせた。露光後加熱(PEB)は開放フレーム実験およびパターン形成実験における感度とコントラストに有意に影響した。層が厚くなると,溶解度の変化を誘発するのに必要な露光量が減少したが,パターン形成の質が低下した。ケージのアニオンはパターン形成の感度と品質に影響を与えた。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *フォトレジスト ,  有機金属化合物 ,  極端紫外線 ,  用量 ,  露光 ,  コントラスト ,  超分子構造 ,  *パターン形成
準シソーラス用語： *EUVフォトレジスト ,  *EUVリソグラフィー ,  かご構造 ,  干渉リソグラフィー ,  露光量

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： トシラート

タイトルに関連する用語 (5件)： スズ ,  ケージ ,  極限 ,  紫外線 ,  パターン形成