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J-GLOBAL ID：201702217263573519   整理番号：17A0955182

III-VおよびSi(Ge)FETのハイブリッドCMOS以降の3次元モノリシック集積

Three-dimensional monolithic integration of III-V and Si(Ge) FETs for hybrid CMOS and beyond

著者 (10件)： DESHPANDE Veeresh (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  DJARA Vladimir (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  O’CONNOR Eamon (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  HASHEMI Pouya (IBM T. J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  MORF Thomas (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  BALAKRISHNAN Karthik (IBM T. J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  CAIMI Daniele (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  SOUSA Marilyne (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  FOMPEYRINE Jean (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE) ,  CZORNOMAZ Lukas (IBM Res. GmbH, Rueschlikon, CHE)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CA05.1-04CA05.7  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3次元(3D)モノリシック集積化により高密度化が可能であり,トランジスタレベルで独立して最適化された層をスタックする可能性がある。高い移動度と低い処理温度のため,InGaAsは,3Dの最上層チャネル材料として使用するのに適している.本稿では,Si/Si(Ge)FETとのモノリシック集積InGaAs-on-Si(Ge)3次元モノリシック技術を開発するための最近の進歩を概説した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ケイ素 ,  *混成集積回路 ,  *半導体集積回路 ,  移動度 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  温度
準シソーラス用語： III-V族化合物半導体 ,  ハイブリッドIC ,  モノリシック集積回路 ,  InGaAs ,  熱処理温度

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  混成集積回路  (NC03163K)

引用文献 (31件)：

• P. Batude, M. Vinet, A. Pouydebasque, C. Le Royer, B. Previtali, C. Tabone, L. Clavelier, S. Michaud, A. Valentian, O. Thomas, O. Rozeau, P. Coudrain, C. Leyris, K. Romanjek, X. Garros, L. Sanchez, L. Baud, A. Roman, V. Carron, H. Grampeix, E. Augendre, A. Toffoli, F. Allain, P. Grosgeorges, V. Mazzochi, L. Tosti, F. Andrieu, J. M. Hartmann, D. Lafond, S. Deleonibus, and O. Faynot, Symp. VLSI Technology, 2009, p. 166.
• O. Billoint, H. Sarhan, I. Rayane, M. Vinet, P. Batude, C. Fenouillet-Beranger, O. Rozeau, G. Cibrario, F. Deprat, O. Turkyilmaz, S. Thuries, and F. Clermidy, Proc. Int. Symp. Physical Design, 2015, p. 127.
• P. Batude, C. Fenouillet-Beranger, L. Pasini, V. Lu, F. Deprat, L. Brunet, B. Sklenard, F. Piegas-Luce, M. Cassé, B. Mathieu, O. Billoint, G. Cibrario, O. Turkyilmaz, H. Sarhan, S. Thuries, L. Hutin, S. Sollier, J. Widiez, L. Hortemel, C. Tabone, M.-P. Samson, B. Previtali, N. Rambal, F. Ponthenier, J. Mazurier, R. Beneyton, M. Bidaud, E. Josse, E. Petitprez, O. Rozeau, M. Rivoire, C. Euvard-Colnat, A. Seignard, F. Fournel, L. Benaissa, P. Coudrain, P. Leduc, J.-M. Hartmann, P. Besson, S. Kerdiles, C. Bout, F. Nemouchi, A. Royer, C. Agraffeil, G. Ghibaudo, T. Signamarcheix, M. Haond, F. Clermidy, O. Faynot, and M. Vinet, Symp. VLSI Technology, 2015, T48.
• T.-T. Wu, C.-H. Shen, J.-M. Shieh, W.-H. Huang, H.-H. Wang, F.-K. Hsueh, H.-C. Chen, C.-C. Yang, T.-Y. Hsieh, B.-Y. Chen, Y.-S. Shiao, C.-S. Yang, G.-W. Huang, K.-S. Li, T.-J. Hsueh, C.-F. Chen, W.-H. Chen, F.-L. Yang, M.-F. Chang, and W.-K. Yeh, IEDM Tech. Dig., 2015, 25.4.1.
• P. Batude, M. Vinet, A. Pouydebasque, C. Le Royer, B. Previtali, C. Tabone, J.-M. Hartmann, L. Sanchez, L. Baud, V. Carron, A. Toffoli, F. Allain, V. Mazzocchi, D. Lafond, S. Deleonibus, and O. Faynot, IEEE Int. Symp. Circuits and Systems (ISCAS), 2011, p. 2233.

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Ge ,  FET ,  CMOS ,  3次元 ,  モノリシック集積