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J-GLOBAL ID:201702217425149582   整理番号:17A0993073

金属Cd源を用いたCdTeの気相エピタクシーの熱力学的解析【Powered by NICT】

Thermodynamic analysis of vapor-phase epitaxy of CdTe using a metallic Cd source
著者 (4件):
資料名:
巻: 470  ページ: 122-127  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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費用効果の高い金属Cdとテルル化ジアルキルを用いたCdTe成長の熱力学的解析を行った。平衡状態にある汚染源域での主要な蒸気種はグループII前駆体のガス状CdおよびVI族前駆体のTe_2とH_2Teした。CdTe蒸着のための駆動力は650°Cでもまだ陽性これは,ガス状CdからのCdTe形成は熱力学的に進行することを示した。さらに,計算はCdTeは,より高い温度で分解し,II/VI比は,成長温度,実験結果と一致する限界を増加させる増加させることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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