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J-GLOBAL ID：201702217628435209   整理番号：17A0955141

大気圧熱プラズマジェットによる4H-SiCの高温高速酸化

High-temperature and high-speed oxidation of 4H-SiC by atmospheric pressure thermal plasma jet

著者 (3件)： HANAFUSA Hiroaki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  ISHIMARU Ryosuke (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4  ページ： 040304.1-040304.3  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,4H-SiCウェーハのSi面の高温高速酸化への,大気圧熱プラズマジェット(TPJ)アニーリングの適用が報告された。意図的な乾燥O₂ガス供給なしで,1640°Cの酸化温度で288nm min^-1の高いSiO₂薄膜成長速度が得られた。周囲の分析は,プラズマ照射によって周囲空気中の酸素から発生したオゾンがSiC表面に供給されることを示唆した。オゾンから分解されたモノ酸素,酸化物成長界面に拡散したことが示唆された。その結果,高温のTPJアニーリングとオゾン供給の組み合わせにより高速酸化が起こった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマジェット ,  *炭化ケイ素 ,  *高温酸化 ,  *オゾン ,  *焼なまし
準シソーラス用語： 大気圧プラズマジェット ,  4H-SiC ,  アニーリング

分類 (2件)： 気体放電  (BJ03020T) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I)

引用文献 (24件)：

• H. Matsunami and T. Kimoto, Mater. Sci. Eng. R 20, 125 (1997).
• H. Kaku, S. Higashi, H. Taniguchi, H. Murakami, and S. Miyazaki, Appl. Surf. Sci. 244, 8 (2005).
• S. Higashi, K. Sugakawa, H. Kaku, T. Okada, and S. Miyazaki, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 03CA08 (2010).
• S. Hayashi, S. Higashi, H. Murakami, and S. Miyazaki, Appl. Phys. Express 3, 061401 (2010).
• S. Higashi, S. Hayashi, Y. Hiroshige, Y. Nishida, H. Murakami, and S. Miyazaki, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 03CB10 (2011).

タイトルに関連する用語 (4件)： 大気圧 ,  プラズマジェット ,  4H-SiC ,  酸化