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J-GLOBAL ID：201002264677877308   整理番号：10A0366302

熱プラズマジェット結晶化技術で作製した微結晶珪素薄膜トランジスタの特性化

Characterization of Microcrystalline Silicon Thin Film Transistors Fabricated by Thermal Plasma Jet Crystallization Technique

著者 (5件)： HIGASHI Seiichiro (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  SUGAKAWA Kenji (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  KAKU Hirotaka (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  OKADA Tatsuya (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 3,Issue 2  ページ： 03CA08.1-03CA08.4  発行年： 2010年03月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱プラズマジェット(TPJ)で結晶化した微結晶珪素(μc-Si)により作製した薄膜トランジスタ(TFT)の電気特性を調べた。非晶質Si膜を走査速度v=350~550mm/sでTPJにより結晶化し,300°C工程によりμc-Si TFTを作製した。vを下げると,μ_FEが3.2から17.1cm²V^-1s^-1に増大し,V_thとSは9.2から5.2V及び1.3から0.6V/デケードにそれぞれ低下した。μ_FE,V_th,Sの変化はそれぞれ1.06(±4.4%),0.14(±1.1%),0.04(±4.0%)の狭い範囲に保たれた。μc-Siは約20nm径の無秩序に配向した小結晶粒からなり,この等方性はTFT性能の変動を極めて小さくした。vが低下すると,結晶粒界における無秩序結合及びナノ結晶粒の割合が低下し,TFT性能が向上した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  プラズマジェット ,  結晶化 ,  *電気特性 ,  アモルファスシリコン ,  結晶粒界 ,  結晶粒 ,  キャラクタリゼーション ,  *微結晶
準シソーラス用語： 特性化 ,  熱プラズマジェット ,  非晶質ケイ素

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (13件)：

• M. J. Powell: Appl. Phys. Lett.43(1983)597.
• A. V. Gelatos and J. Kanicki: Appl. Phys. Lett.57(1990)1197.
• H. C. Cheng, J. W. Tsai, C. Y. Huang, F. C. Luo, and H. C. Tuan: Jpn. J. Appl. Phys.36(1997)6226.
• C. S. Chiang, J. Kanicki, and K. Takechi: Jpn. J. Appl. Phys.37(1998)4704.
• T. Sameshima, S. Usui, and M. Sekiya: IEEE Electron Device Lett.7(1986)276.

タイトルに関連する用語 (8件)： 熱プラズマ ,  ジェット ,  結晶化 ,  作製 ,  微結晶 ,  珪素薄膜 ,  トランジスタ ,  特性化