文献

J-GLOBAL ID：201702217636018252   整理番号：17A0869518

スパッタ法によるNb₂O₅/SiO₂多層積層膜の,塩素エッチマスクを利用した一段の誘導結合プラズマエッチング

Single-step inductively coupled plasma etching of sputtered Nb₂O₅/SiO₂ multilayer stacks using chromium etch mask

著者 (5件)： Taimoor Muhammad (Institute of Nanostructure Technologies and Analytics/CINSaT, University of Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, 34132 Kassel, Germany) ,  Alatawi Abdullah (Institute of Nanostructure Technologies and Analytics/CINSaT, University of Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, 34132 Kassel, Germany) ,  Reuter Sabrina (Institute of Nanostructure Technologies and Analytics/CINSaT, University of Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, 34132 Kassel, Germany) ,  Hillmer Hartmut (Institute of Nanostructure Technologies and Analytics/CINSaT, University of Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, 34132 Kassel, Germany) ,  Kusserow Thomas (Institute of Nanostructure Technologies and Analytics/CINSaT, University of Kassel, Heinrich-Plett-Str. 40, 34132 Kassel, Germany)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 4  ページ： 041302-041302-5  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,イオンビームスパッタ法を用いて成膜したNb₂O₅/SiO₂多層積層膜のドライエッチング特性を報告する。ドライエッチングは,誘導結合プラズマ(ICP)反応性イオンエッチング装置において,CHF₃とArとの混合ガスを利用して実施する。エッチングパラメータ(ガス比(CHF₃/Ar),高周波電力,ICPパワー,真空槽圧力,温度など)の効果を調べる。エッチング処方は,高いエッチ速度,良好な選択性,最適なエッチ形状を得られるように最適化する。最適化した処方では,双方の誘電物質に対し一段のエッチ方法が実現する。さらに,塩素系エッチマスクの成膜と構造化過程を研究する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： イオンビームスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *酸化ニオブ ,  *二酸化ケイ素 ,  *多層膜 ,  積層構造 ,  誘導結合プラズマ ,  *RIE【エッチング】 ,  パラメータ ,  最適化
準シソーラス用語： 反応性イオンエッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： スパッタ法 ,  SiO2 ,  多層 ,  積層膜 ,  塩素 ,  エッチ ,  マスク ,  誘導結合プラズマ ,  エッチング