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J-GLOBAL ID：201702218157768536   整理番号：17A0955305

NiドープMoS₂における残留光伝導の観測

Observation of persistent photoconductivity in Ni-doped MoS₂

著者 (5件)： KO Tsung-Shine (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  CHEN Zheng-Wen (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  LIN Der-Yuh (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  SUH Joonki (Cornell Univ., NY, USA) ,  CHEN Zheng-Sheng (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CP09.1-04CP09.4  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,化学気相輸送によってNiドープMoS₂を成長させた。光伝導評価結果から,NiドープMoS₂は室温で,明確なドーピングレベル1.2eVおよび電気伝導度σ=9.92×10^-7S cm^-1をもつことが明らかになった。この電気伝導度は,Ni原子による不純物状態のために,アンドープMoS₂(σ≒7.913×10^-5S cm^-1)よりも小さい。Hall効果測定の結果,NiドープMoS₂試料はn型であり,アンドープMoS₂よりも高い抵抗および低い移動度をもつことが分かった。さらに,MoS₂ベース光検出器の動作特性を理解するために,アンドープとNiドープMoS₂光検出デバイスを作製した。残留光伝導に関して,MoS₂PDにNi原子をドープすると,立ち上がり時間/立下り時間は共に,0.33/0.68から0.14/0.43sへと減少した。本研究では,Ni原子によってトラップ状態を形成する小さな格子欠陥が生じ,その結果,高抵抗および低移動度・小活性エネルギー・短減衰時間がもたらされることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *硫化モリブデン ,  効果 ,  *ドーピング ,  ニッケル ,  電気伝導率 ,  キャリア移動度 ,  活性化エネルギー ,  減衰時間
準シソーラス用語： ドーピング効果

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

引用文献 (32件)：

• K. S. Novoselov, V. I. Faliko, L. Colombo, P. R. Gellert, M. G. Schwab, and K. Kim, Nature 490, 192 (2012).
• M. Ohishi, M. Shiraishi, R. Nouchi, T. Nozaki, T. Shinjo, and Y. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L605 (2007).
• K. Nagashio, T. Nishimura, K. Kita, and A. Toriumi, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 051304 (2010).
• F. Xia, T. Mueller, R. Golizadeh-Mojarad, M. Freitag, Y. Lin, J. Tsang, V. Perebeinos, and P. Avouris, Nano Lett. 9, 1039 (2009).
• P. A. Khomyakov, A. A. Starikov, G. Brocks, and P. J. Kelly, Phys. Rev. B 82, 115437 (2010).

タイトルに関連する用語 (5件)： Ni ,  ドープ ,  MoS2 ,  残留光伝導 ,  観測