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J-GLOBAL ID：201002252246035549   整理番号：10A0565040

単層及び多層グラフェン電界効果トランジスタの固有チャンネル特性と接触抵抗の系統的研究

Systematic Investigation of the Intrinsic Channel Properties and Contact Resistance of Monolayer and Multilayer Graphene Field-Effect Transistor

著者 (4件)： NAGASHIO Kosuke (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NISHIMURA Tomonori (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KITA Koji (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TORIUMI Akira (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 5,Issue 1  ページ： 051304.1-051304.6  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層及び多層グラフェンの固有チャンネル特性を,四端子測定を用いて接触抵抗を除いて層数の関数として調べた。グラフェンから二層グラフェンへの規格化シート抵抗の連続変化は一つの独特の性質(バンド重畳)により支配され,二層グラフェンの1meVから八層グラフェンに対する11meVに顕著に増大し,黒鉛では40meVに達した。しかし,単層グラフェンは特異な線形分散故に温度依存性からのずれを示した。また,Cr/Au電極の場合の接触抵抗を求めた。観測した高い接触抵抗は三桁にわたり変化し(約10³~10⁶Ωμm),単層グラフェンの顕著な性能を有意に遮る可能性があり,今後の研究の重要性を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *グラファイト ,  *FET【トランジスタ】 ,  *接触抵抗 ,  多層構造 ,  シート抵抗 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (31件)：

• A. K. Geim and K. S. Novoselov: Nat. Mater.6(2007)183.
• M. Y. Han, B. Özyilmaz, Y. Zhang, and P. Kim: Phys. Rev. Lett.98(2007)206805.
• X. Li, X. Wang, L. Zhang, S. Lee, and H. Dai: Science 319(2008)1229.
• J. B. Oostinga, H. B. Heersche, X. Liu, and A. F. Morpurgo: Nat. Mater.7(2008)151.
• Y. Zhang, T. T. Tan, C. Girit, Z. Hao, M. C. Martin, A. Zettle, M. F. Crommie, Y. R. Shen, and F. Wang: Nature 459(2009)820.

タイトルに関連する用語 (8件)： 単層 ,  多層グラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  固有 ,  チャンネル ,  接触抵抗 ,  系統 ,  研究