表面構造制御技術により形成されたSiC上のエピタキシャルグラフェン

ARITSUKI Takuya; NAKASHIMA Takeshi; KOBAYASHI Keisuke; OHNO Yasuhide; NAGASE Masao

文献

J-GLOBAL ID：201702218205563398 整理番号：17A1220871

表面構造制御技術により形成されたSiC上のエピタキシャルグラフェン

Epitaxial graphene on SiC formed by the surface structure control technique

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資料名：
巻： 55 号： 6S1 ページ： 06GF03.1-06GF03.4 発行年： 2016年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

炭化ケイ素(SiC)の熱分解は,ウェーハスケールの単結晶グラフェンを製造する有望な方法である。本論文では,赤外急速熱アニール法により作製した高移動度エピタキシャルグラフェンの最適成長条件について述べる。非軸外SiC(0001)基板上のステップテラスおよびグラフェンカバレッジ構造のような表面構造は,10分未満の範囲のアニーリング時間を変化させることによって十分に制御された。100TorrのAr雰囲気中で1620°Cで5分間成長したグラフェンの移動度は,cm²・V^-1・s^-1の最大値を有していた。移動度低減の原因は,グラフェン被覆率が低く,シートキャリア密度が高く,段差構造の不均一性があることがわかった。(翻訳著者抄録)

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有機化合物の薄膜 , 半導体の表面構造 , 有機化合物の電気伝導

引用文献 (34件)：

K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005).
C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar, and J. Hone, Science 321, 385 (2008)
I. W. Frank, D. M. Tanenbaum, A. M. van der Zande, and P. L. McEuen, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 2558 (2007).
K. I. Bolotin, K. J. Sikes, Z. Jiang, M. Klima, G. Fudenberg, J. Hone, P. Kim, and H. L. Stormer, Solid State Commun. 146, 351 (2008)

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