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J-GLOBAL ID：201702218775716869   整理番号：17A0968227

単層PtTe₂における小さな圧縮歪が誘起した半導体-金属転移および引張歪みが増強した熱電特性

Small compressive strain-induced semiconductor-metal transition and tensile strain-enhanced thermoelectric properties in monolayer PtTe₂

著者 (2件)： GUO San-Dong (China Univ. Mining and Technol., Jiangsu, CHN) ,  WANG Yan (Jiangsu Normal Univ., Jiangsu, CHN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 32  号： 5  ページ： 055004,1-7  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 単一層 ,  *白金化合物 ,  *歪 ,  *金属-半導体転移 ,  *電気特性 ,  集束 ,  輸送係数 ,  力率 ,  熱伝導率 ,  熱電気変換 ,  密度汎関数法 ,  *テルル化物 ,  スピン-軌道相互作用 ,  フォノン ,  *電子構造
準シソーラス用語： GGA【近似】 ,  Seebeck係数 ,  エネルギーバンド ,  スピン・軌道結合 ,  *圧縮歪 ,  引張歪 ,  格子熱伝導率 ,  *熱電特性

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単層 ,  圧縮歪 ,  誘起 ,  半導体-金属転移 ,  引張歪み ,  増強 ,  熱電特性