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J-GLOBAL ID：201702218878972530   整理番号：17A0225872

Cu₂ZnSnS₄光吸収体の表面光電性とカドミウムフリーIn₂S₃/Cu₂ZnSnS₄ヘテロ接合薄膜太陽電池の界面/光起電力性能に対するインジウムドーピングの効果

Effect of Indium Doping on Surface Optoelectrical Properties of Cu₂ZnSnS₄ Photoabsorber and Interfacial/Photovoltaic Performance of Cadmium Free In₂S₃/Cu₂ZnSnS₄ Heterojunction Thin Film Solar Cell

著者 (8件)： JIANG Feng (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OZAKI Chigusa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GUNAWAN (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HARADA Takashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TANG Zeguo (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  MINEMOTO Takashi (Ritsumeikan Univ., Kusatsu, JPN) ,  NOSE Yoshitaro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  IKEDA Shigeru (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 28  号： 10  ページ： 3283-3291  発行年： 2016年05月24日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケステライトCu₂ZnSnS₄は有望な太陽電池材料であるが,毒性CdSバッファ層を使用する欠点がある。本稿では,CdフリーIn₂S₃バッファ層をもつ電着Cu₂ZnSnS₄薄膜太陽電池において6.9%の最大変換効率を得たことを報告した。In₂S₃/Cu₂ZnSnS₄積層の後熱処理がIn₂S₃-Cu₂ZnSnS₄ヘテロ界面に近いCu₂ZnSnS₄層のアクセプタ濃度を増加させたことを見出した。さらに,InドーピングによるInの拡散がCu₂ZnSnS₄のバンドギャップエネルギーの1.47から1.40eVへの赤方偏移をもたらした。このような長波長領域に対する太陽電池の外部量子効率の増加により,後熱処理In₂S₃/Cu₂ZnSnS₄積層に基づく太陽電池は20mAcm^-2以上の短絡電流の増加を達成した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *硫化物 ,  *スズ化合物 ,  化合物半導体 ,  光吸収 ,  *光起電力 ,  *インジウム ,  *ドーピング ,  界面 ,  *硫化カドミウム ,  バッファ層 ,  毒性 ,  エネルギー変換効率 ,  アクセプタ ,  固体内拡散 ,  バンドギャップ ,  赤方偏移 ,  熱処理 ,  短絡電流 ,  薄膜太陽電池 ,  硫化インジウム ,  *硫化ケステライト
準シソーラス用語： *CZTS ,  ケステライト型結晶 ,  外部量子効率

分類 (4件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (10件)： Cu2ZnSnS4 ,  光吸収体 ,  光電 ,  カドミウム ,  ヘテロ接合 ,  薄膜太陽電池 ,  界面 ,  光起電力 ,  インジウム ,  ドーピング