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J-GLOBAL ID：201702218959331864   整理番号：17A1090411

EUVマスク反射率のモンテカルロ感度解析とそのOPC確度への影響

Monte Carlo sensitivity analysis of EUV mask reflectivity and its impact on OPC accuracy

著者 (9件)： CHEN Yulu (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  WOOD Obert (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  RANKIN Jed (GLOBALFOUNDRIES, VT) ,  GULLIKSON Eric (Lawrence Berkeley National Lab, CA) ,  MEYER-ILSE Julia (Lawrence Berkeley National Lab, CA) ,  SUN Lei (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  QI Zhengqing John (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  GOODWIN Francis (GLOBALFOUNDRIES, NY) ,  KYE Jongwook (GLOBALFOUNDRIES, CA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10143  ページ： 101431S.1-101431S.7  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々な誤差要因によるマスク反射率の確率密度関数をモンテカルロシミュレーションを用いて計算した。二種類の物質(Mo,Si)の相互混合層をモデル化して,実測と良好に一致する結果を得た。また,誤ったマスク情報が与えられた場合のOPCへの影響を調べ,重なったプロセスウィンドウの劣化を評価した。仮説的なN7ビア層の場合,正確なマスク情報の欠如は,5%の露光ラチチュードで25%の焦点深度を必要とする。本研究は,反射率変動をマスクし,そのような寄与因子を測定する実験研究を促し,マスク反射率を最適化するための戦略を提供し,不完全なマスクモデリングによるOPC誤差を量子化する主な要因の決定を可能にする。

シソーラス用語： *フォトマスク ,  *反射率 ,  確率密度関数 ,  シミュレーション ,  *補正 ,  許容範囲 ,  半導体プロセス ,  回路パターン形成 ,  露光 ,  モデリング ,  感度解析
準シソーラス用語： *EUVマスク ,  プロセスウィンドウ ,  モンテカルロシミュレーション ,  *光近接効果補正 ,  光反射率

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： EUVマスク ,  反射率 ,  モンテカルロ ,  感度解析 ,  OPC ,  確度