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J-GLOBAL ID：201702219272869986   整理番号：17A1731861

SAW素子のためのサファイア基板上のc軸傾斜配向ScAlN膜の成長【Powered by NICT】

Film growth of c-axis tilted ScAlN on the sapphire substrate for SAW devices

著者 (4件)： Tokuda Shohei (Doshisha Univ, Kyoutanabe, Japan) ,  Takayanagi Shinji (Nagoya Institute of technology, Japan) ,  Matsukawa Mami (Doshisha Univ, Kyoutanabe, Japan) ,  Yanagitani Takahiko (Waseda Univ, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IUS  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,多量にドープしたAlN膜は秋山ら[1]による高い圧電性を有することを示した。一方,SAWデバイスは,フィルタとセンサとして広く使用されている。それらの中で,このSAW素子は高い電気機械結合係数K2を持っているので,ScAlN膜の表面弾性波(SAW)は,多くの注目を集めている。Sc_0 4Al_0 6NにおけるK2値はc軸傾斜角θ大きくなって増加し解析した[2]。本研究では,c軸傾斜配向ScAlN膜の角度を変えること,c軸傾斜ScAlN/Rサファイア中のSAWのK2値を改善することを試みた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： センサ ,  ドーピング ,  *弾性表面波素子 ,  フィルタ ,  弾性表面波 ,  *サファイア ,  *窒化アルミニウム ,  傾斜角 ,  圧電気
準シソーラス用語： 電気機械結合係数 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

タイトルに関連する用語 (5件)： SAW素子 ,  サファイア基板 ,  C軸 ,  配向 ,  成長