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J-GLOBAL ID:201702219290481057   整理番号:17A0400553

パワーエレクトロニクスモジュールにおけるSn3.5Agはんだ相互接続の信頼性に及ぼす半導体チップの物理的寸法と材料の影響の評価:有限要素解析展望【Powered by NICT】

Evaluation of the impact of the physical dimensions and material of the semiconductor chip on the reliability of Sn3.5Ag solder interconnect in power electronic module: A finite element analysis perspective
著者 (5件):
資料名:
巻: 68  ページ: 77-85  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,主に金型寸法と金型材料特性の影響によるパワーエレクトロニクス用途におけるスズ銀はんだ相互接続の温度サイクル能力の評価研究に焦点を当てた。研究は,チップ/はんだ/基板構造に関する有限要素解析について検討した。公称ベース金型有限要素解析(FEA)における選択した市販チップ。二熱サイクルプロファイルが利用された。はんだ層の熱サイクル能力に及ぼすダイ面積,金型厚さと材料特性(SiとSiC)の影響をFEA観点から検討した。FEA(有限要素解析)から,金型厚さの減少は両方の材料(Si及びSiC)のためのはんだ層の熱サイクル能力の増加の結果となると結論した。ダイ面積の増加ははんだの熱サイクル能力を増加させた。より高いΔT熱サイクルでは,SiC金型下でのはんだは熱サイクル能力の点でSiダイの下ではんだよりも良好に機能する。金型厚さは熱サイクルレジームのしきい値以下になると,Siダイの下ではんだはSiC金型下でのはんだよりも良好な熱サイクル能力を持っている。さらにはんだ層幾何学的パラメータ(濡れ角度,傾斜角と厚さ)の高いΔT温度サイクルプロファイル下でSiCチップ/基板構造を行ったパラメトリック研究。の実験計画(DoE)を利用したパラメトリック研究から,ウェーブレット動径基底代理モデルを作成した。最も影響するパラメータを同定するために,感度解析は,代理モデルで行った。感度解析から,はんだ層の濡れ角とはんだ層厚さははんだ層の熱サイクル能力に重要な影響を与えると結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 

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