文献

J-GLOBAL ID：201702219311430856   整理番号：17A1604153

Siウェハ上の6”Hg_1-xCd_xTe MBEにおけるエッチング課題の克服

Overcoming Etch Challenges on a 6′′ Hg_1-xCd_xTe MBE on Si Wafer

著者 (3件)： APTE Palash (Raytheon Vision Systems, CA, USA) ,  NORTON Elyse (Raytheon Vision Systems, CA, USA) ,  ROBINSON Solomon (Raytheon Vision Systems, CA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 10  ページ： 5873-5876  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代赤外線(IR)ディテクタは,ピクセルを描写するために深いメサトレンチのドライエッチングを必要とする。本研究では,深いトレンチを,6”MBE/Si Hg_1-xCd_xTeウェハ内でエッチングする簡単な方法を紹介する。より厚いフォトレジスト(PR)を使用することにより,実質的なPRがエッチング後の画素の上に残されることを示した。エッチング後の画素メサ上部寸法は,それらのエッチング前の値から大きく変化しない。これらの結果は,有意な横方向レジスト侵食がなく,6インチのパターン化された検出器ウェハにおいて,深いトレンチをエッチングすることができることを示した。この技術は,おそらく使用することもできるPRの厚さを変えることによって(cdteのエッチング後コンフォーマル堆積に有用である),注文仕立てされたトレンチ側壁を作り出すことができる。

シソーラス用語： *テルル化カドミウム水銀 ,  *MBE成長 ,  ウエハ【IC】 ,  *エッチング ,  *赤外検出器 ,  画素 ,  *トレンチカット【加工】 ,  *フォトレジスト ,  メサ構造
準シソーラス用語： シリコンウエハ

分類 (3件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  光電デバイス一般  (NC03081P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ウェハ ,  MBE ,  エッチング