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J-GLOBAL ID:201702219635598322   整理番号:17A1090540

グリーン操作と先端プロセスを支える次世代多重パターニング液浸リソグラフィのためのArFレーザ

The ArF Laser for the next generation multiple-patterning immersion lithography supporting green operations and leading edge processes
著者 (8件):
資料名:
巻: 10147  ページ: 1014719.1-1014719.11  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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次世代レーザに望まれることは,デバイス歩留りの向上と希少資源不足への対応並びに動作コストの低減である。これらの要求を支えるために,GT65はラインナローイングモジュール(LNM)でのヘリウムフリー動作とチャンバーでのネオン消費量削減でE95バンド幅を狭めて希少元素不足を無くし動作コストを低減した。可動レンズを装着した高速アクチュエータは平均E95バンド幅安定性を±5nmとし,レーザビーム波面調節を速くした。スペクトルバンド幅が安定したのでCD均一性が改善された。新設計のLNMは光学要素と機械部品での熱波面変形を抑えるので低E95バンド幅200fmを実現した。高速アクチュエータとLNMの組み合わせで,E95バンド幅を200から450fmに変えるのにウエハロット交換の時間より短い6秒で出来た。新LNMはヘリウムフリー作動が可能であり,新LNMの採用でユニット当たり80kL/年のヘリウム消費が節約できる。ガスリサイクリングシステムはArFレーザで92%のネオン消費を節約する。同様に,KrFレーザでリサイクリングシステムはネオン消費を85%節約する。
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 

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