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J-GLOBAL ID:201702219865539764   整理番号:17A0400984

Li_3NbO_4エピタキシャル膜中に埋込まれた低高さ/幅アスペクト比Li_3Ni_2NbO_6ディスクの自己集合【Powered by NICT】

Self-assembly of very-low height/width aspect-ratio Li3Ni2NbO6 disks embedded in Li3NbO4 epitaxial films
著者 (8件):
資料名:
巻: 621  ページ: 202-206  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,非常に低い高さ/幅アスペクト比を持つLi_3Ni_2NbO_6(LNNO)エピタキシャルディスクの自己集合を報告した。エピタキシャルLNNO薄膜は400°Cの基板温度(T,S)で得られ,パルスレーザ蒸着法を用いて,Tを600°Cまで,Li_3NbO_4エピタキシャルドメインは,LNNOエピタキシャル膜内部に形成した。さらにTを700°CまでLi_3NbO_4膜中に埋め込まれたLNNOディスク(直径が数μmと~100nmの典型的な高さ)の形成をもたらした。興味深いことに,透過型電子顕微鏡観察は,LNNOディスクは非晶質化合物によるLi_3NbO_4膜から分離され,平面コア-シェル構造の形成を示していることを明らかにした。これらのユニークなナノ構造の成長過程を理解することは,薄膜マトリックス中に埋込まれた高い階層構造の作製への道を開いた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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酸化物薄膜 
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