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J-GLOBAL ID:201702220535261283   整理番号:17A1110680

4点支持反転法を使用した大口径シリコンウエハに対する反り測定

Warp Measurement for Large-Diameter Silicon Wafer Using Four-Point-Support Inverting Method
著者 (2件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 721-727  発行年: 2017年09月05日 
JST資料番号: L0997B  ISSN: 1881-7629  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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近年,直径450mmのシリコンウエハの製造が始まった。しかしながら,450mmウエハの反り測定の正確な方法はまだ確立されていない。そこで,筆者らは大口径ウエハの反り形状を高精度に測定する4点支持反転法を開発した。本測定方法の原理は,300mmウエハの反り測定用に開発された3点支持反転方法の原理と同等である。4点支持反転法では,追加の中央支持体を用いて重力による偏向を減らして表面形状測定を行い得る。本研究では,提案した測定法の原理を実験的に検証した。4点支持反転法は,3点支持反転法と同等の高精度で300mmウエハの反りを測定し得ることが分かった。しかし,この実験では,支持体との接触点におけるウエハ表面の損傷を懸念する付加的な支持のために鋼球を使用した。そこで,空気軸受を用いた非接触支持法を提案した。非接触支持法は,前述した接触支持法と同等の精度で反りを測定し得ることが分かった。さらに,本研究は,反り測定の再現性に関する,4点支持法の3点支持法に対する優位性を示した。(翻訳著者抄録)
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集積回路一般 
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