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J-GLOBAL ID：201702220829336539   整理番号：17A0132881

キャリア平均自由行程の制約を考慮したビスマスナノワイヤの電気抵抗率とSeebeck係数の理論的考察

Theoretical modeling of electrical resistivity and Seebeck coefficient of bismuth nanowires by considering carrier mean free path limitation

著者 (5件)： Murata Masayuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Yamamoto Atsushi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Hasegawa Yasuhiro (Saitama University, 255 Shimo-Okubo, Sakura, Saitama 338-8570, Japan) ,  Komine Takashi (Ibaraki University, 4-12-1 Nakanarusawa, Hitachi, Ibaraki 316-8511, Japan) ,  Endo Akira (Institute for Solid State Physics, University of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8581, Japan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 121  号： 1  ページ： 014303-014303-10  発行年： 2017年01月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *平均自由行程 ,  *ビスマス ,  *ナノワイヤ ,  *電気抵抗率 ,  *輸送係数 ,  緩和時間 ,  Boltzmann方程式 ,  表面散乱 ,  温度係数 ,  結晶方位 ,  状態密度 ,  Matthiessen則
準シソーラス用語： *Seebeck係数

分類 (1件)： 金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

タイトルに関連する用語 (7件)： キャリア平均自由行程 ,  制約 ,  ビスマス ,  ナノワイヤ ,  電気抵抗率 ,  Seebeck係数 ,  理論