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J-GLOBAL ID：201702221942351539   整理番号：17A0325105

低圧化学蒸着とその特性により作製した均一原子層MoS_2(1 x)Se_2x合金【Powered by NICT】

A homogeneous atomic layer MoS_2(1-x)Se_2x alloy prepared by low-pressure chemical vapor deposition, and its properties

著者 (5件)： Umrao Sima (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SSKU), Suwon 440-746, Korea. [e-mail]) ,  Jeon Jaeho ,  Jeon Su Min ,  Choi Young Jin ,  Lee Sungjoo
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 2  ページ： 594-603  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧化学気相堆積(CVD)法を用いて制御された形態を有する大面積単分子層MoS_2(1 x)Se_2x合金を成長させた。同じ成長時間を用いて作製した,種々の形態を持つMoS_2(1 x)Se_2x合金は異なる温度領域に置かれた基板上に気体MoO_3前駆体を制御することにより観察された。TEM観察から,合成したままの単分子層MoS_2(1 x)Se_2x合金は結晶性で,六方晶構造を持つことが明らかになった。XPS,Ramanマッピング,およびEDSマッピングは,結晶全体を通して~2原子重量%Seの均一置換を明確に示した。MoS_2の初期CVD成長単層と比較して,光学バンドギャップは4.52%異なり,1.77eVから1.69eVに。さらに,単分子層MoS_2(1 x)Se_2x合金上に作製したバックゲートトランジスタは~10~4の電流オン/オフ比と高移動度値は8.4cm~2V~ 1s~ 1でn型挙動を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *合金 ,  結晶 ,  単分子層 ,  単一層 ,  結晶度 ,  *低圧 ,  光学ギャップ ,  *LPCVD ,  六方晶系
準シソーラス用語： 高移動度 ,  透過型電子顕微鏡法 ,  温度範囲 ,  大面積 ,  *原子層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低圧化学蒸着 ,  作製 ,  原子層 ,  合金