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J-GLOBAL ID：201702222032504283   整理番号：17A1391431

相補型インバータ応用のための 730V Pチャネル垂直SiCパワーMOSFETのロバスト性能力の研究【Powered by NICT】

Investigation of Robustness Capability of -730 V P-Channel Vertical SiC Power MOSFET for Complementary Inverter Applications

著者 (4件)： An Junjie (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Namai Masaki (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Yano Hiroshi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan) ,  Iwamuro Noriyuki (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 10  ページ： 4219-4225  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,pチャネル垂直4H-炭化けい素(SiC)MOSFET(SiC p MOSFET)は,相補型インバータ応用のための潜在的な候補として初めて作製することに成功した。p-MOSFETの短絡とアバランシェ能力を含む,静的特性とロバスト性を実験的に試験した。さらに,p-MOSFETと似た定格n-MOSFETの比較を行った。短絡能力はnチャネルMOSFETのそれより15%高かった。本稿ではさらに,p n-MOSFETの短絡過渡中の破壊機構への物理的洞察を提供した。一方,電気-熱解析モデルを過渡中の熱分布を説明するために提案する。最後に,作製したSiC MOSFETのアバランシェ耐量時間はnチャネルのそれよりも27%高いことが実験的に実証した。SiC MOSFETは高周波相補型インバータに適用できる競争力スイッチできると結論した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  HF【周波数】 ,  静特性 ,  解析モデル ,  スイッチ ,  *ロバスト性 ,  *チャネル ,  許容量 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 熱分布 ,  破壊機構 ,  nMOSFET ,  ロバスト性能 ,  *パワーMOSFET ,  *相補型インバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 相補型インバータ ,  応用 ,  チャネル ,  垂直 ,  SiC ,  パワーMOSFET ,  ロバスト性能 ,  研究